SRAMとDRAMの違い

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主な違い：スタティックRAM（SRAM）とダイナミックRAM（DRAM）は2種類のRAM（ランダムアクセスメモリ）です。これらは両方とも、速度、容量などのような多くの文脈で互いに異なります。これらの違いは、データを保持するために使用される技法の違いが原因で発生します。ＳＲＡＭの各メモリセルは６個のトランジスタのアレイを使用するのに対し、ＤＲＡＭは各メモリセルに対して単一のトランジスタおよびキャパシタを使用する。ＤＲＡＭはリフレッシュを必要とするが、ＳＲＡＭはメモリセルのリフレッシュを必要としない。どちらも電力が供給されるまでデータを保持します。

半導体メモリは、揮発性メモリと不揮発性メモリとに分類することができる。揮発性メモリのランダムメモリ（ＲＡＭ）は、ＳＲＡＭとＤＲＡＭの２種類である。 RAMは、個々のメモリ位置がアドレスによって直接アクセスされることを意味します。ＳＲＡＭはスタティックランダムアクセスメモリを表し、ＤＲＡＭはダイナミックランダムアクセスメモリを表す。

これらのメモリはランダムアクセスメモリ（RAM）であり、揮発性です。つまり、長期間保持されません。ＲＡＭは、コンピュータ内の作業用メモリ記憶領域とも呼ばれる。 SRAMとDRAMは両方とも、電源が切られるとデータを失います。ただし、DRAMは定期的にリフレッシュする必要があります。

両者の主な違いは、データを保持するために使用されるテクノロジです。この重要な違いにより、他にも違いが生じます。ＳＲＡＭはデータ（トランジスタ回路）を記憶するためにラッチを利用するのに対し、ＤＲＡＭは電荷の形でビットを記憶するためにコンデンサを使用する。ＳＲＡＭは通常の高速ＣＭＯＳ技術を用いて構成するのに対し、ＤＲＡＭは最適化された高密度を達成するために特殊なＤＲＡＭプロセスを使用する。ダイナミックＲＡＭは、ＳＲＡＭと比較して単純な内部構造を有する。

SRAMはDRAMと比較して速いです。ただし、DRAMは小型であり、ビットあたりのコストも低くなっています。ＳＲＡＭのサイクルタイムはＤＲＡＭのそれよりも長く、ＤＲＡＭはＳＲＡＭよりも容量が大きい。 DRAMはメインメモリとして使用されますが、オンチップキャッシュは通常SRAMです。

ＳＲＡＭは、主に２つの主な要件を満たすように設計されてきた。１．ＤＲＡＭでは達成できない速度でＣＰＵとの直接インターフェースを提供すること。２．低消費電力を必要とするシステムにおいてＤＲＡＭを使用すること。

SRAM（スタティックランダムアクセスメモリ）とDRAM（ダイナミックランダムアクセスメモリ）の比較：

	SRAM	DRAM
定義	RAMの一種です。ＳＲＡＭは本質的に電荷を蓄積するためにラッチを使用する。	RAMの一種です。ＤＲＡＭは、電荷の形でビットを記憶するためにコンデンサを利用する。
速度	もっと早く	もっとゆっくり
サイズ	より大きい	小さい
コスト	ビットあたりより高価	ビットあたりの値段が安い
周辺回路の要件	比較的少ない	比較的もっと
タイプ	比較的一般的ではない	比較的一般的
容量（同じ技術）	もっと少なく	SRAMの5〜10倍
アプリケーション	一般的にCPUキャッシュメモリやハードドライブバッファのような小さなアプリケーションで	パソコンのメインメモリとして一般的
タイプ	非同期SRAM シンクロナスSRAM パイプラインバーストSRAM	高速ページモードDRAM 拡張データアウトDRAM バーストEDO DRSSM シンクロナスDRAM
アクセス	簡単	もっと強く
建設	難しい	単純な
消費電力	もっと少なく	もっと
密度	チップあたりの低密度/少ないメモリ	チップあたりの高密度/より多くのメモリ

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